特許
J-GLOBAL ID：201103065876053134
半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-062439
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270504
特許番号：特許第3933405号
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Si基板/SiGe結晶層からなり、SiGe結晶層が、不純物のイオン注入より形成された不純物層を有し、不純物層が、その下部に歪を有するSiGe結晶層と、その上部に歪が緩和されているSiGe結晶層とを有し、不純物が、水素、周期律表の第4族に属する元素又は不活性元素であることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 H
