特許
J-GLOBAL ID：200903006109125214

半導体装置及びその製造方法

発明者：
杉山 直治

杉山 直治 について

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水野 智久

水野 智久 について

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高木 信一

高木 信一 について

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黒部 篤

黒部 篤 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270251
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148473
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】本発明は歪シリコン層を得るための下地であるSiGe層を絶縁層上に形成し、かつその厚さを薄くすることを目的とする。また本発明は良質な歪Si層を提供することを目的とする。【解決手段】Si基板11上に、歪SiGe層13を形成し、前記歪SiGe層13の層厚中に留まるように酸素イオンを注入する。次に熱処理をして前記歪SiGe層を格子緩和させると同時にSiGe層13中に埋め込み絶縁層15を形成する。次にこの格子緩和したSiGe層13上に歪Si層17を再成長させる。
請求項（抜粋）：
基板上に歪SiGe層を形成する工程と、前記歪SiGe層に酸素イオンを注入し前記歪SiGe層内部に酸素を導入する酸素導入工程と、前記酸素導入工程後、熱処理により、酸素導入部分に酸化層を形成し、さらに前記酸化層よりも上に位置する前記歪SiGe層を格子緩和させて格子緩和SiGe層を形成する熱処理工程と、前記格子緩和SiGe層上に歪Si層を成長する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
H01L 27/12 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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