特許

J-GLOBAL ID：201103065894283350

半導体装置の製造方法

発明者： 長谷川 英司
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349085
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168325
特許番号：特許第3425579号
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い材料からなるゲート絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜に不活性ガス雰囲気で光を照射することにより、該ゲート絶縁膜内の固定電荷を減少させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/26 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• IC製造のためのオキシナイトライド誘電体プロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-052372   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-339454   出願人：富士通株式会社
• 絶縁膜改質方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-269019   出願人：日本電池株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277470   出願人：株式会社東芝