半導体素子の製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , ラインハルト・アインゼル
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-552709
特許番号：特許第3602443号
出願日： 1999年05月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】a)エピタキシーウィンドウ(4)を有するHF可溶性マスク層(3)をエピタキシー基板(9)上に形成する工程、b)エピタキシー反応器中で、エピタキシー基板(9)のエピタキシーウィンドウ(4)内で露出している領域にオプトエレクトロニクス特性を有する半導体層又は半導体層列(10)をエピタキシャル析出(11)させる工程、およびc)エピタキシー反応器中で分解するか、または反応してフッ化水素になる不安定なフッ素化合物を冷却されたエピタキシー反応器中に供給することによりHF可溶性マスク層(3)を除去する工程(12)からなる水平集積半導体構造素子の製法において、工程a)で第1の半導体コンポーネント(13)が既にエピタキシー基板(9)上に存在し、かつ工程b)で第2の半導体コンポーネント(14)をエピタキシーウィンドウ(4)中に析出することを特徴とする、水平集積半導体構造素子の製法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/306 , H01S 5/02

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01S 5/02 , H01L 21/306 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平1-270287
埋め込み構造半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-349283 出願人：日本電信電話株式会社
特開平1-270287

審査官引用 (7件)

特開平1-270287
特開平1-270287
埋め込み構造半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-349283 出願人：日本電信電話株式会社

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