特許

J-GLOBAL ID：201103066295062198

半導体レーザ素子

発明者： 粂 雅博 ,  宮永 良子 ,  木戸口 勲 ,  伴 雄三郎 ,  辻村 歩 ,  長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  上山 智
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-109830
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012982
特許番号：特許第3315378号
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に形成された第1導電型の第1の窒化物半導体からなる第1半導体層と、前記第1半導体層の上に形成され、禁制帯の幅が前記第1の窒化物半導体よりも小さい第2の窒化物半導体からなる第2半導体層と、前記第2半導体層の上に形成され、禁制帯の幅が前記第2の窒化物半導体よりも大きい第2導電型の第3の窒化物半導体からなる第3半導体層とを備え、前記第1の窒化物半導体又は前記第3の窒化物半導体はリンを含み、前記第1導電型はn型であり、前記第2導電型はp型であり、前記第1の窒化物半導体の組成はAlGaN1-x Px であり、前記第3の窒化物半導体の組成はAlGaN1-y Py (但し、x及びyは0≦x<yである)であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/323 610

FI (1件)：

H01S 5/323 610

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-189178   出願人：富士通株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202477   出願人：ローム株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-189178   出願人：富士通株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202477   出願人：ローム株式会社