特許
J-GLOBAL ID：201103066319564963
薄膜半導体装置の製造方法および表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219304
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031588
特許番号：特許第4650656号
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成された薄膜トランジスタを覆う絶縁膜に、当該薄膜トランジスタのシリコン薄膜層に達成する接続孔を形成し、当該接続孔の内壁を覆う状態で前記絶縁膜上にチタン系材料膜を成膜する工程と、
窒素ガス雰囲気中において熱処理を施すことによって、前記チタン系材料膜を表面側から窒化させて窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜上に配線材料膜を成膜する工程とを行う薄膜半導体装置の製造方法において、
前記窒化膜を形成する工程では、前記窒素ガス雰囲気中に水素ガスを添加する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H05B 33/10 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 K
, G09F 9/30 338
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/78 616 U
, H01L 21/88 R
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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