特許
J-GLOBAL ID：201103066826765474
炭化珪素単結晶の成長方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
石田 敬
, 鶴田 準一
, 古賀 哲次
, 西山 雅也
, 樋口 外治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-591254
特許番号：特許第4514339号
出願日： 1999年12月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 成長容器内に炭化珪素種結晶を保持し、
炭化珪素種結晶の第1の表面側に炭化珪素形成ガス供給部を設け、
炭化珪素形成ガス供給部から炭化珪素形成ガスを炭化珪素種結晶の第1の表面に供給し、かつ、炭化珪素種結晶の第1の表面が第1の温度を有し、炭化珪素形成ガス供給部が前記第1の温度より高い第2の温度を有し、よって、炭化珪素種結晶の第1の表面上に炭化珪素単結晶を成長させ、
その際、炭化珪素種結晶の第1の表面が第1の温度を有し、成長容器の容器壁から成長容器内に突出してその先端部で炭化珪素種結晶を保持する保持部材を設け、保持部材は第1の容器壁を貫通しており、かつ、保持部材は周囲容器壁より放熱性が高いことにより、炭化珪素種結晶の周囲の成長容器の壁面の温度が前記第1の温度より高い第3の温度を有する、ことを含む炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長する方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 23/02 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 23/02
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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