半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349630
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044189
特許番号：特許第3436221号
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】キセロゲル膜もしくは有機膜を含む層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜上にその層間絶縁膜をエッチングする際のエッチングマスクとなる第1のマスクを形成する工程と、前記第1のマスク上に前記層間絶縁膜をエッチングする際のエッチングマスクとなるもので前記第1のマスクとは材質の異なる第2のマスクを形成する工程とを備え、前記第1のマスクを、光透過性を有する材料で形成し、前記第2のマスクを、光透過性を有する窒化シリコン膜で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：