特許
J-GLOBAL ID：201103067057046660
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
, 松隈 秀盛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116676
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307146
特許番号：特許第4284748号
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基体上に、スリットを有して形成される第1の配線導電層と、
前記第1の配線導電層、及び前記スリット覆って形成される第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の表面に発生した段部の側面に形成される平坦化用の有機絶縁層と、
前記有機絶縁層を含む全面に形成された第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に形成される第2の配線導電層の一部で構成され、前記スリットにより分離された前記第1の配線導電層を電気的に連結する連結部と、
から構成される半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 31/10 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 31/10 H
, H01L 21/88 N
, H01L 21/90 M
