特許
J-GLOBAL ID：201103067332794753
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
須藤 克彦
, 鎌田 康秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-292162
公開番号（公開出願番号）：特開2011-134837
出願日： 2009年12月24日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】トレンチ構造のゲート絶縁膜がエミッタ層等を形成するときの砒素イオンよる損傷を受けることがなく、その絶縁耐圧が向上する半導体装置を低コストで製造できる方法を確立する。【解決手段】トレンチ3内に埋め込まれて形成されたポリシリコンからなるゲート電極5を高温炉中等で熱酸化してゲート電極5上に厚いポリシリコン熱酸化膜6を形成する。その後に不純物イオンをイオン注入してエミッタ層等となるN型半導体層8を形成する。この場合、ポリシリコン熱酸化膜6の膜厚を、イオン注入によりエミッタ層等となるN型半導体層8を形成するための不純物イオンのシリコン酸化膜中の平均飛程より厚く形成する。これにより、不純物イオンがゲート電極5とN型半導体層8に挟まれたゲート絶縁膜4に損傷を与えるのを防止する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層の上に第2導電型の第2半導体層を有する半導体基板を準備する工程と、
前記第2半導体層の表面から前記第1半導体層内まで延在するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内壁から前記第2半導体層の表面まで延在するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜が形成された前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を熱酸化することにより前記ゲート電極の上面にゲート電極保護膜を形成する工程と、
前記ゲート電極保護膜の形成後に、前記第2半導体層内に不純物イオンをイオン注入して第1導電型の不純物領域を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/423
, H01L 29/49
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652B
, H01L29/58 G
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104DD43
, 4M104DD55
, 4M104DD63
, 4M104EE05
, 4M104GG09
, 4M104GG18
, 4M104HH20
