半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：家入健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-264480
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085134
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】シャロージャンクション化を可能にし、従来になくオン抵抗を低減した半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にトレンチ105を形成し、トレンチ105内部にゲート電極107を埋め込み、ゲート電極上107に熱酸化膜108aを形成し、熱酸化膜108a上にシリケートガラス膜108bをトレンチ105開口部まで形成した後、半導体基板内部にベース領域103を形成し、半導体基板内部のベース領域103上にソース領域104を形成するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にトレンチを形成し、前記トレンチ内部にゲート電極を埋め込み、前記ゲート電極上に熱酸化膜を形成し、前記熱酸化膜上にシリケートガラス膜をトレンチ開口部まで形成した後、前記半導体基板内部にベース領域を形成し、前記半導体基板内部の前記ベース領域上にソース領域を形成する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 27/04

FI (5件)：

H01L29/78 652N , H01L29/78 652P , H01L29/78 657B , H01L29/78 652S , H01L29/78 652Q

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第4767722号明細書
国際公開第2003/046999号パンフレット
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-297218 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

平坦化したゲートバスを備えたトレンチ・パワーMOSFET
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-501216 出願人：アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド, アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ(ホンコン)・リミテッド
埋め込みゲートを有するMOSゲート装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-044636 出願人：インターシルコーポレーション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-188290 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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