特許
J-GLOBAL ID：201103068157965554
窒化ケイ素回路基板製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
澤木 誠一
, 澤木 紀一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250712
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077245
特許番号：特許第3824044号
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化ケイ素基板に活性金属を含むろう材を介して銅板を対接する工程と、ろう材の融点以上、銅の融点以下に加熱して上記窒化ケイ素基板に上記銅板を接合する工程と、上記銅板にエッチングにより銅回路を形成する工程と、更に窒素雰囲気中330°C以上で加熱する工程とより成ることを特徴とする窒化ケイ素回路基板製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/15 ( 200 6.01)
, B23K 35/30 ( 200 6.01)
, C04B 35/584 ( 200 6.01)
, H05K 1/03 ( 200 6.01)
H01L 23/14 C
, B23K 35/30 310 B
, C04B 35/58 102 Y
, H05K 1/03 610 D
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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