光集積デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：光石俊郎 , 田中康幸 , 松元洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-027658
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223043
特許番号：特許第4629346号
出願日： 2004年02月04日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に、pin構造よりなる第1の半導体光素子とpin構造よりなる第2の半導体光素子が配置され、前記第1の半導体光素子は、前記半導体基板上に下部クラッド層,活性層,上部クラッド層を積層してなる構造となっており、前記第2の半導体光素子は、前記半導体基板上に下部クラッド層,活性層,上部クラッド層を積層してなる構造となっており、しかも、前記第1の半導体光素子の活性層と前記第2の半導体光素子の活性層とが突き合せ接合されている光集積デバイスにおいて、前記上部クラッド層のうち、前記第1の半導体光素子の活性層と前記第2の半導体光素子の活性層とが接続されている接続部分の前記第1の半導体光素子側に、前記第1の半導体光素子の活性層に接して下部クラッド層と同一の導電形の層が挿入され、前記第1の半導体光素子のpin構造に逆バイアスを印加し、前記第2の半導体光素子のpin構造に順バイアスを印加し若しくはゼロバイアスとして前記光集積デバイスを動作させる際に、前記下部クラッド層と同一の導電形の層と当該層上の前記上部クラッド層とにより構成されるpn接合部分にのみ電圧が印加されて、前記接続部分の前記第1の半導体光素子の活性層には電圧が印加されないように構成されていることを特徴とする光集積デバイス。

IPC (3件)：

H01S 5/026 ( 200 6.01) , G02F 1/017 ( 200 6.01) , H01L 31/0232 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01S 5/026 616 , G02F 1/017 503 , H01L 31/02 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体光集積素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-025828 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭63-194385
半導体光変調デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-260593 出願人：日本電信電話株式会社

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