特許
J-GLOBAL ID：201103068706033987
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345498
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228527
特許番号：特許第4531175号
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に接して半導体膜からなる第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜に接して第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜から第2の導電層を形成し、
前記第2の導電層をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を前記半導体層に添加することにより第1の不純物領域を形成し、
前記第2の導電層よりも幅が広くなるように前記第1の導電膜から第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層及び前記第2の導電層をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を前記半導体層に添加することにより第2の不純物領域を形成し、
前記第1の導電層のうち、前記第1の不純物領域と重なる領域の一部を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 613 A
