半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：宮崎昭夫 (外3名) , 宮崎昭夫 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212341
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044273
特許番号：特許第3439387号
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に、パッド酸化膜、シリコン窒化膜を順次成膜する工程、シリコン窒化膜上にレジストを塗布し、トレンチ形成のためのパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンをマスクとして、シリコン窒化膜、パッド酸化膜を順次エッチングして、開口を形成する工程、該開口部内に露出したパッド酸化膜をウエットエッチングにより50〜300Åの範囲でサイドエッチングし、更に開口部底に露出した半導体基板表面を等方性エッチングして半導体基板表面に浅い溝を形成する工程、シリコン基板を異方性エッチングして、深い溝を形成する工程、前記工程に続いて該溝内に800°C以上1000°C未満の温度条件でウエット酸化により熱酸化膜を形成する工程、前記溝を埋めるように全面に絶縁物を堆積する工程、前記シリコン窒化膜をストッパとして絶縁物をCMP研磨して平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/76 N

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置の製造方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-153610 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-128634
特開昭58-009333

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審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-296633 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭58-009333
特開昭58-009333

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