特許
J-GLOBAL ID:201103069191263247

マイクロ波照射を用いた金属微粒子担持処理加工方法およびその方法により所定箇所の導電性を向上させた物体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 永井 道彰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-021575
公開番号(公開出願番号):特開2011-179117
出願日: 2011年02月03日
公開日(公表日): 2011年09月15日
要約:
【課題】 ターゲットとなる基材の所望の箇所の導電性を向上させる。【解決手段】 ターゲット物体100のうち導電性を向上させたい所望箇所に金属イオン溶液または金属元素含有溶液200を接触させる溶液接触工程(S1)と、マイクロ波を照射して金属イオン溶液中の金属イオンまたは金属元素含有溶液中の金属元素をターゲット物体100の所望箇所に金属微粒子として担持させる金属微粒子担持工程(S2)とを備え、マイクロ波照射を用いて金属微粒子を基材の表面に担持させて基材表面の導電率を向上させる。溶液接触工程(S1)に先立ち、所望箇所に金属微粒子の担持を支援するバインダーまたはプライマーを塗布する下地塗布工程を備えたり、所望箇所へのマスク工程を備えたりすることも好ましい。金属イオン溶液または金属元素含有溶液の種類や濃度、マイクロ波照射出力や照射時間、バインダー塗布条件を変えることで導電率を制御する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ターゲット物体のうち導電性を向上させたい所望箇所に金属イオン溶液または金属元素含有溶液を接触させる溶液接触工程と、マイクロ波を照射して前記金属イオン溶液中の金属イオンまたは前記金属元素含有溶液中の金属元素を前記ターゲット物体の前記所望箇所に金属微粒子として担持させる金属微粒子担持工程とを備えた、マイクロ波照射を用いた金属微粒子担持処理加工方法。
IPC (1件):
C23C 26/00
FI (1件):
C23C26/00 Z
Fターム (7件):
4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BB10 ,  4K044CA53 ,  4K044CA55
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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