特許
J-GLOBAL ID：201103069424354230
太陽電池形成方法及び太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小池 晃
, 伊賀 誠司
, 藤井 稔也
, 野口 信博
, 祐成 篤哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-513706
公開番号（公開出願番号）：特表2011-524640
出願日： 2009年06月11日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：
【要約書】太陽電池を形成する太陽電池形成方法において、プリドーピング領域を有し、シリコン基板である半導体ウェーハを準備する工程と、半導体ウェーハへのドーパントの濃度対深さプロフィールを有する第1のイオン注入を実行し、プリドーピング領域上に第1のドーピング領域を形成する工程と、半導体ウェーハへのドーパントの、第1のイオン注入とは異なる濃度対深さプロフィールを有する第2のイオン注入を実行し、プリドーピング領域上に第2のドーピング領域を形成する工程とを有し、第1のドーピング領域及び第2のドーピング領域の少なくとも1つは、光を受光すると、電子正孔対を発生し、第1及び第2のイオン注入は、互いに独立して実行されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
太陽電池を形成する太陽電池形成方法において、
プリドーピング領域を有し、シリコン基板である半導体ウェーハを準備する工程と、
上記半導体ウェーハへのドーパントの濃度対深さプロフィールを有する第1のイオン注入を実行して、上記プリドーピング領域上に第1のドーピング領域を形成する工程と、
上記半導体ウェーハへのドーパントの、上記第1のイオン注入とは異なる濃度対深さプロフィールを有する第2のイオン注入を実行して、上記プリドーピング領域の上に第2のドーピング領域を形成する工程とを有し、
上記第1のドーピング領域及び上記第2のドーピング領域の少なくとも1つは、光を受光すると、電子正孔対を発生し、
上記第1及び第2のイオン注入は、互いに独立して実行されることを特徴とする太陽電池形成方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 L
, H01L31/04 H
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA16
, 5F151BA14
, 5F151CB19
, 5F151CB24
, 5F151CB25
, 5F151DA03
, 5F151DA05
, 5F151DA06
, 5F151EA18
, 5F151FA17
, 5F151FA24
, 5F151GA04
, 5F151HA03
