特許

J-GLOBAL ID：201103069807219735

半導体シリコンウェーハの製造方法

発明者： 梅野 繁 ,  浅山 英一 ,  宝来 正隆 ,  足立 尚志
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-203999
特許番号：特許第4038910号
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒素をドープしたシリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハに、水素及び/または不活性ガス雰囲気下で1000°C以上1350°C以下の温度で50時間以下の熱処理を施し、ボイド欠陥(Grown-in欠陥)の内壁酸化膜を除去した後、800°C以上1350°C以下の温度範囲で50時間以下の酸化熱処理を行い強制的に格子間シリコン原子を注入させることにより、Grown-in欠陥を少なくとも表面から10μmまで消滅させる半導体シリコンウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

C30B 33/02 ( 200 6.01) ,  C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/322 ( 200 6.01) ,  H01L 21/324 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146668   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン単結晶ウエ-ハおよびシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-063612   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体シリコンウェーハ並びにその製造方法と熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-100052   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146668   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン単結晶ウエ-ハおよびシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-063612   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体シリコンウェーハ並びにその製造方法と熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-100052   出願人：住友金属工業株式会社