特許
J-GLOBAL ID：201103070206160987
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130835
公開番号（公開出願番号）：特開2001-312892
特許番号：特許第4346211号
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一括して消去動作を行なう単位となる複数のメモリブロックを備え、
各前記メモリブロックは、
外部から与えられる通常データを保持する、行列状に配置された複数の通常メモリセルと、
前記複数の通常メモリセルの列の少なくともいずれかひとつに隣接して設けられ、前記メモリブロックに対する書込および消去の許可情報であるロックビットを保持するロックビットセル列を含み、
前記ロックビットセル列は、
フローティングゲートを有し、しきい値電圧の大きさによって前記ロックビットを保持する、第1の内部ノードと第2の内部ノードとの間に接続される第1の電界効果型トランジスタと、
前記第1の内部ノードから電気的に分離された第3の内部ノードと前記第2の内部ノードとの間に接続される第2の電界効果型トランジスタとを有する、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ( 200 6.01)
, G11C 16/04 ( 200 6.01)
G11C 17/00 601 P
, G11C 17/00 624
