窒化物半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308435
特許番号：特許第4310929号
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の上に窒化物半導体層が成長されて、その窒化物半導体層の共振面がエッチングにより形成されており、その共振面から突出した部分は、部分的に基板の一部がエッチングにより除去されてなり、前記共振面に誘電体多層膜を有するとともに、前記基板の端面は基板が露出していることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：