化合物半導体の結晶成長方法および半導体発光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269145
特許番号：特許第3543295号
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】III-V族化合物を有する層を含む、組成が異なる複数の層を有する半導体中の、該III-V族化合物を有する層を形成するための化合物半導体の結晶成長方法であって、有機金属化学気相成長法によりIII-V族化合物半導体を結晶成長させる工程を包含し、ここで、結晶成長初期におけるV族元素のモル流量が、通常成長時のV族元素のモル流量よりも大きくされるとともに、III族元素のモル流量が、結晶成長初期および通常成長時において一定である、方法。

IPC (2件)：