特許
J-GLOBAL ID:201103070870720680
半導体装置の内部電源電圧発生回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-386716
公開番号(公開出願番号):特開2002-280889
特許番号:特許第3826273号
出願日: 2001年12月19日
公開日(公表日): 2002年09月27日
請求項(抜粋):
【請求項1】半導体装置の内部電源電圧発生回路において、
基準電圧と内部電圧を比較する比較部と、
入力端がCMOSインバータで構成され、前記比較部の出力信号をバッファリングするバッファ部と、
前記半導体装置の通常(regular)動作時には、前記バッファ部のCMOSインバータを経由して流れる電流量を所定値以内に制御し、前記半導体装置のアクティブ(active)動作時には、一定期間のあいだ前記バッファ部のCMOSインバータを経由して流れる電流量を前記所定値以上に制御するバッファ制御部と、
前記バッファ部の出力信号に従い電流を供給する第2電流供給部と、
前記第2電流供給部からの電流供給により内部電圧を発生させる負荷部を備えることを特徴とする半導体装置の内部電源電圧発生回路。
IPC (4件):
H03K 19/00 ( 200 6.01)
, G05F 3/24 ( 200 6.01)
, G11C 11/413 ( 200 6.01)
, H03K 17/687 ( 200 6.01)
FI (4件):
H03K 19/00 A
, G05F 3/24 Z
, G11C 11/34 335 A
, H03K 17/687 H
引用特許:
出願人引用 (5件)
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内部降圧電源回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-266276
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-051710
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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特開平4-162289
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