特許
J-GLOBAL ID:201103070955659637
パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 洋子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-397569
公開番号(公開出願番号):特開2003-195527
特許番号:特許第3476081号
出願日: 2001年12月27日
公開日(公表日): 2003年07月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 酸発生剤を含有する化学増幅型ホトレジスト組成物以外のホトレジスト組成物を用いて形成されたホトレジストパターンを有する基板上に被覆し、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめた後、当該被覆を実質的に完全に除去して微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、(a)水溶性ポリマーと、(b)その構造中に少なくとも1個の窒素原子を有する水溶性架橋剤を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤。
IPC (2件):
G03F 7/40 511
, H01L 21/027
FI (2件):
G03F 7/40 511
, H01L 21/30 570
引用特許:
出願人引用 (4件)
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-284682
出願人:クラリアントジャパン株式会社
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水溶性樹脂組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-182778
出願人:クラリアントインターナショナルリミテッド
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-003205
出願人:三菱電機株式会社