特許
J-GLOBAL ID：201103071048737500

半導体装置及びその作製方法

発明者：
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-235083
公開番号（公開出願番号）：特開2011-109080
出願日： 2010年10月20日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：
【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、 前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (11件)：
H01L29/78 616U ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301B
Fターム (87件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM