半導体装置及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-200670
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021612
出願日： 2008年08月04日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H01L 21/20

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 627G , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H01L21/20

Fターム (133件)：

2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB33 , 2H092JB42 , 2H092JB58 , 2H092JB65 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA08 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA26 , 2H092NA29 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107HH05 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP11 , 5F110PP13 , 5F110PP15 , 5F110PP29 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F152BB01 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152BB04 , 5F152CC01 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD02 , 5F152CD03 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CE01 , 5F152CE12 , 5F152CE14 , 5F152CE24 , 5F152CE32 , 5F152EE14 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF17 , 5F152FF35 , 5F152FF39 , 5F152FF43 , 5F152FF44 , 5F152FF45 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG03 , 5F152FG13

引用特許：

出願人引用 (1件)

トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326889 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-334406 出願人：カシオ計算機株式会社
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-061985 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

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