インバータの作製方法及びインバータ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西山恵三 , 内尾裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-044527
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004733
出願日： 2008年02月26日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】簡便に作製できるE/Dインバータを提供する。【解決手段】本発明は、同一基板上に形成され、チャネル層がIn、Ga、Znから選択される少なくとも1つの元素を含む酸化物半導体からなるインバータの作製方法であって、前記インバータは複数の薄膜トランジスタを有するエンハンスメント-ディプリーション(E/D)インバータであり、前記チャネル層の膜厚が互いに異なる第1のトランジスタと第2のトランジスタと、を形成する工程と、前記第1及び第2のトランジスタのチャネル層のうち、少なくとも1つを熱処理する熱処理工程と、を含むことを特徴とするものである。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

同一基板上に形成され、チャネル層がIn、Ga、Znから選択される少なくとも1つの元素を含む酸化物半導体からなるインバータの作製方法であって、前記インバータは複数の薄膜トランジスタを有するエンハンスメント-ディプリーション(E/D)インバータであり、前記チャネル層の膜厚が互いに異なる第1のトランジスタと第2のトランジスタと、を形成する工程と、前記第1及び第2のトランジスタのチャネル層のうち、少なくとも1つを熱処理する熱処理工程と、を含むことを特徴とするインバータの作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 612Z , H01L29/78 613A , H01L29/78 618D , H01L27/08 102B , H01L27/08 311A , H01L27/08 331E

Fターム (52件)：

5F048AA02 , 5F048AB04 , 5F048AB10 , 5F048AC02 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB15 , 5F048BC15 , 5F048BD00 , 5F048BD01 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F110AA08 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN78 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-302952 出願人：セイコーエプソン株式会社
非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325370 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司

審査官引用 (3件)

特開昭53-118375
非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325370 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
トランジスタ構造及びその製作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-501592 出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

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