薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-066069
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224479
出願日： 2008年03月14日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたTFTを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体からなる活性層、ソース電極、ドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜のダングリングボンド密度が5×1016cm-3以下であり、かつ前記ゲート絶縁膜中の水素濃度が1×1019cm-3以下であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体からなる活性層、ソース電極、ドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜のダングリングボンド密度が5×1016cm-3以下であり、かつ前記ゲート絶縁膜中の水素濃度が1×1019cm-3以下であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 617T , H01L29/78 617V , H01L29/78 618B

Fターム (60件)：

5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110DD15 , 5F110DD18 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF07 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-221552 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-255733 出願人：カシオ計算機株式会社

審査官引用 (7件)

酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-074627 出願人：キヤノン株式会社
特開平2-090568
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-284538 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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