特許
J-GLOBAL ID：200903050309946521

薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
中山 昌哉

中山 昌哉 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-066069
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224479
出願日： 2008年03月14日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたTFTを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体からなる活性層、ソース電極、ドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜のダングリングボンド密度が5×1016cm-3以下であり、かつ前記ゲート絶縁膜中の水素濃度が1×1019cm-3以下であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体からなる活性層、ソース電極、ドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜のダングリングボンド密度が5×1016cm-3以下であり、かつ前記ゲート絶縁膜中の水素濃度が1×1019cm-3以下であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B
Fターム (60件)：
5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD15 ,  5F110DD18 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM