特許
J-GLOBAL ID：201103071625418079
水素資化性メタン菌のメタン生成活性制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村瀬 一美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-094357
公開番号（公開出願番号）：特開2011-223895
出願日： 2010年04月15日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】水素資化性メタン菌自体のメタン生成活性を高める。水素資化性メタン菌の生育を促進させる。【解決手段】内在するあるいは添加される化学成分によって環境中に形成され得る水素資化性メタン菌が生育可能な酸化還元電位を基準電位とし、水素資化性メタン菌を含む環境に電極を接触させ、環境の酸化還元電位を銀・塩化銀電極電位基準で-0.8Vを含んで-0.8Vよりもマイナス側に大きくなるように制御し、水素資化性メタン菌のメタン生成活性を基準電位における水素資化性メタン菌のメタン生成活性よりも高めるようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内在するあるいは添加される化学成分によって環境中に形成され得る水素資化性メタン菌が生育可能な酸化還元電位を基準電位とし、
前記水素資化性メタン菌を含む環境に電極を接触させ、前記電極に電位を印加して前記環境の酸化還元電位を銀・塩化銀電極電位基準で-0.8Vを含んで-0.8Vよりもマイナス側に大きくなるように制御し、前記水素資化性メタン菌のメタン生成活性を前記基準電位における前記水素資化性メタン菌のメタン生成活性よりも高めることを特徴とする水素資化性メタン菌のメタン生成活性制御方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4B065AA01X
, 4B065BB02
, 4B065BB20
, 4B065BC50
, 4B065CA54
