特許
J-GLOBAL ID：201103072258753148

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者：
ラジェシュ クマール

ラジェシュ クマール について

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山本 剛

山本 剛 について

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大矢 信之

大矢 信之 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267531
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094097
特許番号：特許第4595144号
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主表面及び主表面と反対面である裏面を有し、炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)と、 前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)と、 前記半導体層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型のベース領域(3a、3b)と、 前記ベース領域の表層部の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4a、4b)と、 前記ベース領域及び前記半導体層の表面部の表面部上において、前記ソース領域と前記半導体層とを繋ぐように形成された、炭化珪素よりなる表面チャネル層(5)と、 前記表面チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、 前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、 前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するように形成されたソース電極(10)と、 前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極(11)とを備え、 前記表面チャネル層は、 前記半導体層の表面部及び前記ベース領域の表面部にエピタキシャル成長にて形成され、前記半導体層よりも不純物濃度が高く、蓄積型チャネルを構成する第1導電型の第1のチャネル層(5a)と、 前記ベース領域の表面部において、前記ベース領域から前記ゲート絶縁膜に向けて延設された第2導電型、若しくは前記第1のチャネル層よりも低不純物濃度で、かつ、前記ゲート電極(8)に対して電圧印加を行っていないときに前記ゲート絶縁膜側および前記ベース領域から延びる空乏層にてピンチオフされる第1導電型の第2のチャネル層(5b)と、 を備えて構成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/80 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/80 V
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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