特許
J-GLOBAL ID：201103072328387063

二次元画像検出器の製造方法

発明者：
和泉 良弘

和泉 良弘 について

, 
寺沼 修

寺沼 修 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158881
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188386
特許番号：特許第3432770号
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むアクティブマトリクス基板と、前記画素配列層の全面に対向して形成される光導電性を有する半導体層と、前記半導体層の一方の面に形成された前記画素配列層との接続面と、前記半導体層の他方の面に設けられた上部電極とを含む対向基板とを備え、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置され、前記両基板が導電性材料で電気的に接続された二次元画像検出器の製造方法であって、前記対向基板の接続面に、前記アクティブマトリクス基板上の前記画素電極に対向する部分を覆い、他の格子状の領域を開口するマスクを形成し、次いで、サンドブラスト法によって前記接続面を貫通し、前記半導体層まで削り込むように溝を形成して、複数の突起電極を形成することを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/146 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/304 601 ,  H01L 31/09 ,  H01L 31/10
FI (5件)：
H01L 21/304 601 S ,  H01L 27/14 F ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 31/00 A ,  H01L 31/10 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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