特許

J-GLOBAL ID：201103072734463544

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 両澤 克彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 長南 満輝男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366079
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185730
特許番号：特許第4055317号
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 成膜したアモルファスシリコン薄膜を微結晶化して微結晶シリコン薄膜を形成し、該微結晶シリコン薄膜のうちソース領域形成領域およびドレイン領域形成領域に、後工程の熱処理により再結晶化が進行しない程度の量の不純物を注入し、熱処理により前記微結晶シリコン薄膜のうちチャネル領域形成領域を再結晶化させてポリシリコン薄膜とし、前記微結晶シリコン薄膜のうちソース領域形成領域およびドレイン領域形成領域を微結晶シリコン薄膜のままとすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-104170
  
• 特開平3-104170
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-173086   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053096   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-269310   出願人：ソニー株式会社