特許
J-GLOBAL ID:201103072911046770

面発光型半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河村 洌
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-325392
公開番号(公開出願番号):特開2003-133641
特許番号:特許第3981257号
出願日: 2001年10月23日
公開日(公表日): 2003年05月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 ステムの一面側に設けられる受光素子と、該受光素子の表面にマウントされる面発光型のレーザチップと、中心部に透明体からなる光の透過窓を備え、該透過窓が前記レーザチップの表面と平行になり、かつ、前記レーザチップを被覆するように設けられるキャップとを有し、前記レーザチップが電流注入領域と基板中心部とを偏芯させたレーザチップからなり、該レーザチップのレーザビーム出射口が前記受光素子の中心部に位置するように前記レーザチップが設けられることにより、前記透過窓の中心部の真下に前記レーザチップの出射口が位置すると共に、該出射口の近傍に前記受光素子が露出して、前記レーザチップからの出射光の一部が前記透過窓により反射する光を前記出射口の近傍で露出する前記受光素子の部分で受光し得る構造である半導体レーザ。
IPC (2件):
H01S 5/183 ( 200 6.01) ,  G11B 7/125 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01S 5/183 ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/125 C
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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