特許
J-GLOBAL ID：201103073351203464

半導体素子のコンタクト形成方法

発明者：
ホン、ジェオン-エウイ

ホン、ジェオン-エウイ について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223571
特許番号：特許第3947990号
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 p型の不純物拡散領域が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜の所定部位を除去して前記不純物拡散領域の一部表面を露出させるコンタクトホールを形成するステップと、 前記コンタクトホールが形成された前記層間絶縁膜の表面を覆う第1導電層を形成するステップと、 前記第1導電層を覆う第2導電層を形成するステップと、 前記第1導電層と前記不純物拡散領域の界面に第3導電層を形成するステップと、 前記コンタクトホールの底部の前記第2導電層の内部に窒素イオンを注入することにより拡散防止イオン埋没層を形成するステップと、 前記第2導電層上に該第2導電層と同一物質からなる第5導電層を形成するステップと、 前記第5導電層が形成された前記コンタクトホールを充填する導電性プラグを形成するステップと、 前記導電性プラグの上部表面と電気的に連結された第4導電層を前記第5導電層上に形成するステップと、を順次行い、 前記第1導電層がチタンからなり、前記第2導電層及び前記第5導電層が窒化チタンからなり、前記第3導電層がケイ化物からなり、前記導電性プラグがタングステンからなることを特徴とする半導体素子のコンタクト形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 S
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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