特許

J-GLOBAL ID：200903085491872021

集積回路用の相互結合構造

発明者： マーヴィン リャオ ,  チー チャーン ,  ジェニファー ツェング ,  マイケル ダネック ,  ロデリック シー. モーズリー ,  カール リタウ ,  イヴォ ラーイジュメイカーズ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122624
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313054
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 集積回路内の素子の結合を可能にするために形成される集積回路内における構造の改良。【解決手段】 構造は、導電面204から、その導電面204の上に延在しているチャネル200内で延びる。構造は耐熱金属の層205、金属窒化物の層206、及び金属の層212を含む。耐熱金属の層を、導電面とチャネルの内壁に堆積させる。金属窒化物の層を、耐熱金属の層の上に形成する。金属窒化物の層は、耐熱金属の層から延在する130オングストローム未満の厚さを持つ。金属の層を、金属窒化物の層の上に堆積させる。

請求項（抜粋）：

導電面の上方に延びている内壁を有するチャネルを通して前記導電面から延びる、集積回路内の構造であって、前記導電面上及び前記チャネルの前記内壁上にある耐熱金属の層と、前記耐熱金属の前記層上にある金属窒化物の層とを備え、前記金属窒化物の前記層は、前記耐熱金属の前記層からの厚さが130オングストローム未満である構造。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 接続構造、接続構造の形成方法、該接続構造を有する半導体装置、及び接続構造の設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-169028   出願人：ソニー株式会社
• 窒化チタン膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-005239   出願人：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド
• 化学気相堆積により堆積された改良窒化チタン層および製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-295486   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• シリコン移動を減少させる金属窒化物膜処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-343824   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド