特許
J-GLOBAL ID：201103073380235812
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 手島 勝
, 藤田 篤史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347929
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217504
特許番号：特許第3971566号
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化合物半導体基板の上に全面に亘って、前記化合物半導体基板と組成が異なるエッチング制御層を成長させる工程と、
前記エッチング制御層の上に全面に亘って、前記エッチング制御層と組成が異なる第1の活性層を含む複数の半導体層からなる第1の積層体を成長させる工程と、
前記第1の積層体を選択的エッチングによりパターニングして、前記化合物半導体基板上の第1の領域に前記第1の積層体からなる第1の半導体レーザ構造を形成する工程と、
前記第1の半導体レーザ構造を含む前記化合物半導体基板上に全面に亘って、第2の活性層を含む複数の半導体層からなる第2の積層体を成長させる工程と、
前記第2の積層体を選択的エッチングによりパターニングして、前記化合物半導体基板上の第2の領域に前記第2の積層体からなる第2の半導体レーザ構造を形成する工程とを備え、
前記第1の半導体レーザ構造を形成する工程と前記第2の積層体を成長させる工程との間に、前記エッチング制御層の前記第2の領域に存在する部分を選択的エッチングにより除去する工程をさらに備えていることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01S 5/22 ( 200 6.01)
, G11B 7/125 ( 200 6.01)
, G11B 7/22 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
H01S 5/22 610
, G11B 7/125 A
, G11B 7/22
, H01L 21/306 B
, H01S 5/323
