特許
J-GLOBAL ID：200903085943618322

半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
根本 和彦

根本 和彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254784
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077457
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】発振波長の異なる複数のレーザ光を出射可能である半導体レーザであって、複数の活性層の端面に反射率の変動の少ない誘電体膜が形成された半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に組成の異なる複数の活性層4a、4bを有し、発振波長の異なる複数のレーザ光を平行に出射する半導体レーザであって、レーザ光出射側の端面に、発振波長の相加平均値である所定の波長の光に対して反射率が極大値となる所定の膜厚の前面誘電体膜10が形成され、裏側の端面に、前面誘電体膜10に比較して高反射率であり、前記所定の波長の光に対して反射率が極大値となる所定の膜厚の後面誘電体膜11a、11bが形成されている半導体レーザおよびその製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に組成の異なる複数の活性層を有し、発振波長の異なる複数のレーザ光を平行に出射する半導体レーザであって、レーザ光出射側の前端面に形成された前面コート膜と、前記前端面の裏側の後端面に形成され、前記前面コート膜に比較して高反射率である後面コート膜とを有し、前記前面コート膜および前記後面コート膜の膜厚はそれぞれ、前記発振波長の最小値と最大値の間の所定の波長の光に対し、反射率が極大値を示す所定の膜厚に設定されている半導体レーザ。
IPC (4件)：
H01S 5/028 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  H01S 5/22 610
FI (4件)：
H01S 5/028 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  H01S 5/22 610
Fターム (12件)：
2H048FA05 ,  2H048FA24 ,  2H048GA04 ,  2H048GA13 ,  2H048GA34 ,  2H048GA61 ,  5F073AA07 ,  5F073AA83 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073DA33 ,  5F073EA04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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