特許
J-GLOBAL ID:201103073462586338

絶縁基板、その製造方法および配線の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-064186
公開番号(公開出願番号):特開2011-171687
出願日: 2010年03月19日
公開日(公表日): 2011年09月01日
要約:
【課題】優れた放熱性を維持しつつ良好な絶縁性が得られる絶縁基板を提供する。【解決手段】アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、前記陽極酸化皮膜中において、円相当直径1μm以上の金属間化合物が2000個/mm3以下である絶縁基板。【選択図】図1
請求項(抜粋):
アルミニウム基板と、 前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、 前記陽極酸化皮膜中において、円相当直径1μm以上の金属間化合物が2000個/mm3以下である絶縁基板。
IPC (2件):
H01L 33/64 ,  H01L 23/14
FI (2件):
H01L33/00 450 ,  H01L23/14 M
Fターム (4件):
5F041AA33 ,  5F041DA33 ,  5F041DA35 ,  5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (7件)
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