特許
J-GLOBAL ID：201103073653531495
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317387
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124514
特許番号：特許第4236805号
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】複数のゲート電極が形成された半導体基板に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上にHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)タイプのSOGを塗布する工程と、
前記HSQタイプのSOGが塗布された基板を第1の温度で焼成する工程と、
焼成された前記HSQタイプのSOG上に化学気相成長法(CVD法)により酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート電極間に前記HSQタイプのSOGおよび前記酸化膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールが形成された基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度で焼成する工程と、
前記コンタクトホールの底の第1の絶縁膜の除去を基板まで行う工程と、
前記第2の温度で焼成された前記コンタクトホールに希釈フッ酸処理を行う工程と、
前記希釈フッ酸処理の後、ポリシリコンのプラグ電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 21/316 G
, H01L 21/316 P
, H01L 21/306 D
, H01L 21/90 Q
, H01L 21/90 K
