特許
J-GLOBAL ID：201103073874852857
半導体装置の製造方法およびこれに用いる半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-253991
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068698
特許番号：特許第4151247号
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板本体上に、各々異なる電極電位を有する第1の層と第2の層とをこの順に設けた半導体基板の表面電極電位を測定しながら、上記第2の層をウエットエッチングする半導体装置の製造方法であって、
上記第1の層がp型半導体層、上記第2の層がn型半導体層であり、上記n型半導体層のバンドギャップエネルギより大きなエネルギを有する光を照射し、上記半導体基板の表面電極電位を測定しながら、上記n型半導体層をウエットエッチングして、
上記半導体基板の表面電極電位が、上記第2の層の電極電位から上記第1の層の電極電位へ変化する電位変化領域で上記半導体基板表面に負の電位を印加することによりエッチングを停止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H01L 21/3063 ( 200 6.01)
H01L 21/306 U
, H01L 21/306 L
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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