特許
J-GLOBAL ID：201103073998393443
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-152308
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332619
特許番号：特許第4211198号
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基体上に接続孔が形成される第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に配線溝が形成される第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に接続孔を形成するための孔パターンが形成される酸化シリコンからなる第1のマスク下層を形成する工程と、
前記第1のマスク下層上に配線溝を形成するための溝パターンを形成した窒化シリコンからなる第2のマスク層を形成する工程と、
前記溝パターン内に酸化シリコンを埋め込んで、前記第2のマスク層の上面と面一にした上面を有する第1のマスク上層を形成して前記第1のマスク下層と前記第1のマスク上層とで第1のマスク層を構成する工程と、
少なくとも前記溝パターンに一部が重なるように前記第1のマスク層に孔パターンを形成する工程と
を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 A
, H01L 21/90 C
