特許
J-GLOBAL ID：201103074635622099
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263517
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076307
特許番号：特許第4651169号
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、コンタクトホールが形成された第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上及び前記コンタクトホールの内壁及び底部に、前記第1の絶縁膜と第1の電極との密着性を高め或いは前記基板と前記第1の電極との間の反応を抑止する導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上に、前記導電膜が形成された前記コンタクトホール内に空洞が残存するように第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に、前記空洞に達する開口部を形成する工程と、
前記コンタクトホール内及び前記開口部内に、前記基板に電気的に接続された前記第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極を形成する工程の後に、前記導電膜をストッパとして前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記第2の絶縁膜を除去する工程の後に、前記第1の絶縁膜上の前記導電膜をエッチングする工程と、
前記導電膜をエッチングする工程の後に、前記第1の電極上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、前記誘電体膜を介して前記第1の電極と対向する第2の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 621 B
, H01L 27/10 681 F
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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