白金族金属層の形成方法及びこれを用いたキャパシタ製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053764
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303397
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】開口部を充填する白金族金属層形成方法と、これをキャパシタ製造に適用して、酸素拡散により発生されるストレージ電極の接触不良が防止され、ストレージ電極形成が容易であるキャパシタ製造方法を提供する。【解決手段】ストレージコンタクトホールのような開口部43が形成された半導体基板40上に、白金族金属層44を約1000オングストローム〜2000オングストローム程度の厚さで形成する。この白金族金属層44に約650°C以上の熱を加えてリフローさせることによって開口部43を充填する。

請求項（抜粋）：

半導体の基板上に物質層を形成する段階と、前記物質層の所定部位を蝕刻して開口部を形成する段階と、開口部が形成された前記基板全面に白金族金属を蒸着する段階と、前記白金族金属を650°C以上の温度に加熱して前記開口部を充填するようにリフローさせる段階を具備することを特徴とする白金族金属層の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 14/14 , C23C 14/58 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 27/10 621 B , C23C 14/14 D , C23C 14/58 A , H01L 21/28 301 R , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-305882 出願人：株式会社日立製作所
薄膜キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-122636 出願人：日本電気株式会社
マイクロ電子構造体とその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196834 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー

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