DRAMセルキャパシタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118744
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330404
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 DRAMセルキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板100上に形成された第1絶縁膜108がエッチングされてストレージコンタクトホール114が形成され、ストレージコンタクトホール120が第1導電物質で充填されてストレージコンタクトプラグ116が形成される。ストレージコンタクトプラグ116を含んで第1絶縁膜108上に第2絶縁膜110が形成され、第2絶縁膜110上にストレージノード形成領域が定義されてストレージノードマスクが形成される。ストレージノードマスクが使用されて第2絶縁膜110と第1絶縁膜108がエッチングされるが、ストレージコンタクトプラグ116の少なくとも上部表面が露出される時までエッチングされてオープニングが形成される。そしてオープニングが第2導電物質で充填されてストレージノード124aが形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1絶縁膜をエッチングしてストレージコンタクトホールを形成する工程と、前記ストレージコンタクトホールを第1導電物質で充填してストレージコンタクトプラグを形成する工程と、前記ストレージコンタクトプラグを含んで第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜上にストレージノード形成領域を定義してストレージノードマスクを形成する工程と、前記ストレージノードマスクを使用して前記第2絶縁膜と第1絶縁膜をエッチングし、前記ストレージコンタクトプラグ122の少なくとも上部表面が露出される時までエッチングしてオープニングを形成する工程と、前記オープニングを第2導電物質で充填してストレージノードを形成する工程とを含むことを特徴とするDRAMセルキャパシタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

引用特許：

審査官引用 (13件)

特表平7-508136
特表平7-508136
導電体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-229630 出願人：株式会社日立製作所

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