特許
J-GLOBAL ID：201103074884252900
回路内蔵受光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274086
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083947
特許番号：特許第3582715号
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板と、該半導体基板上に形成されたSiGe層を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を有する集積回路と、該半導体基板上に形成され、シリコン熱酸化膜を有する反射防止膜が受光表面に設けられたフォトダイオードとを備えた回路内蔵受光素子の製造方法であって、該半導体基板上に前記フォトダイオードの反射防止膜を形成する工程と、その後に、前記半導体基板上に前記SiGe層を形成する工程と、を包含する回路内蔵受光素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 27/14
, H01L 21/331
, H01L 21/8222
, H01L 27/06
, H01L 29/737
, H01L 31/10
H01L 27/14 Z
, H01L 27/14 D
, H01L 27/06 101 D
, H01L 29/72 H
, H01L 31/10 A
, H01L 31/10 G
