特許

J-GLOBAL ID：201103075186748380

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-037745
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199272
出願日： 2011年02月24日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層を形成し、酸化物絶縁層を通過して酸素を導入(添加)し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、酸化物半導体層を高純度化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層を形成し、 前記酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層である第1の絶縁層を形成し、 前記第1の絶縁層を通過させて前記酸化物半導体層に酸素を導入し、 前記第1の絶縁層及び前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、 前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A

Fターム (72件)：

5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-274705   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 発光装置とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-036044   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-198214   出願人：出光興産株式会社