光導波路の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-210633
公開番号（公開出願番号）：特開2003-029068
特許番号：特許第3723101号
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】水素化シリコン窒化膜を形成する第1の工程と、前記水素化シリコン窒化膜に真空紫外から軟X線領域の光を照射することにより、屈折率が異なる領域を形成する第2の工程とを有することを特徴とする光導波路の形成方法。

IPC (1件)：