不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：田中裕人 , 山中郁生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-322813
公開番号（公開出願番号）：特開2003-132688
特許番号：特許第4138291号
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、プログラム動作時に該メモリセルアレイのデータを判定するベリファイ用センスアンプと、外部からのデータを受け取るデータ入力バッファと、外部から該データ入力バッファに入力される入力パスワードと該メモリセルアレイから読み出され該ベリファイ用センスアンプでデータ判定される読み出しパスワードとが一致するか否かを判定する一致/不一致判定回路と、該ベリファイ用センスアンプとは別個に設けられ読み出し動作時に該メモリセルアレイのデータを判定する読み出し用センスアンプとを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：