特許
J-GLOBAL ID：201103075352119605
薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051296
特許番号：特許第3804349号
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の基材上にアモルファスシリコン膜を形成する第1の工程と、
前記アモルファスシリコン膜に水素を導入することにより第1の分離層を形成する第2の工程と、
前記第1の分離層上に薄膜デバイスを形成する第3の工程と、
前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の基材を接着する第4の工程と、
前記第1の分離層の層内または前記第1の分離層の界面のうちの少なくとも一方で剥離現象を生じさせて、前記薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写する第5の工程と、を具備し、
前記第5の工程では、前記第1の分離層にエネルギー光を照射させることによってガスを発生させるとともに、前記エネルギー光のエネルギー密度を低密度から高密度に変化させることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G02F 1/13 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
G02F 1/136
, G02F 1/13 101
, H01L 29/78 627 D
