特許

J-GLOBAL ID：201103075765729924

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  三宅 博之 ,  桑原 秀明 ,  寺島 真理
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-159299
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040730
出願日： 2010年07月14日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、 前記第1の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層と、 前記酸化物絶縁層及び前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、 前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と電気的に接続する画素電極層とを有し、 前記第1の薄膜トランジスタの前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記酸化物絶縁層、及び前記画素電極層は透光性を有し、 前記第2の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、前記第1の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と材料が異なり、前記第1の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/417 ,  G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/50 M ,  G02F1/1368

Fターム (122件)：

2H092GA13 ,  2H092GA29 ,  2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092HA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA39 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA27 ,  2H092NA07 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA11 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD62 ,  4M104DD63 ,  4M104DD65 ,  4M104FF16 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE07 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262991   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-028001   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-379779   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-303733   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 発光装置とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-036044   出願人：キヤノン株式会社