特許
J-GLOBAL ID：201103075782289350
エッチングプロセスによって3次元構造体を製造するための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
久野 琢也
, 矢野 敏雄
, 高橋 佳大
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, 篠 良一
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-595930
特許番号：特許第4653316号
出願日： 2000年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のエッチング除去レートと第2のエッチング除去レートとに従うエッチングプロセスによって基板に3次元構造体を形成するための方法であって、前記第1のエッチング除去レートと前記第2のエッチング除去レートの少なくとも一方を時間の関数として可変であり、前記エッチングプロセスが少なくとも1つのオリジナル形状体材料には前記第1のエッチング除去レートを使用し、基板材料には前記第2のエッチング除去レートを使用するようにした方法において、
まず最初に、前記基板上の複数の場所に既知のオリジナル表面形状を有する少なくとも1つのオリジナル形状体(11)が設けるステップ、
前記エッチングプロセスによって前記オリジナル形状体を前記オリジナル表面形状とは異なる目標表面形状を有する3次元構造体である目標形状体に変えるステップ、
前記エッチングプロセスの開始前にエッチング時間の関数として少なくとも1つのエッチングパラメータを前記既知のオリジナル表面形状と前記目標形状とから計算するステップ、及び
前記エッチングプロセスの間に前記目標表面形状を実現するために、前記第1のエッチング除去レートと前記第2のエッチング除去レートの少なくとも一方を前記少なくとも1つのエッチングパラメータの変化を介して設定するステップ
を有しており、
ただし、前記オリジナル表面形状は円柱対称のオリジナル関数huによって記述され、座標系のxz平面への前記オリジナル関数huの射影は円錐定数K1、曲率半径R1及び高さH1を有する円錐関数
によって少なくとも近似的に記述され、
前記目標表面形状は円柱対称的な目標関数hsによって記述され、座標系のxz平面への前記関数hsの射影は円錐定数K2、曲率半径R2及び高さH2を有する円錐関数
によって少なくとも近似的に記述され、
当該方法はさらに、エッチング装置に起因する少なくとも1つの偏差の補正のために、まず最初に時間の関数として計算された前記第1のエッチング除去レートと前記第2のエッチング除去レートの少なくとも一方の変化を用いてテストエッチングを行うステップを有しており、該テストエッチングの後で、予め決められた目標表面形状を記述する関数hS,Testが形成され、
関数hS,Testが形成された後で、新たな目標関数hS,neuが
hS,neu=2hS-hS,Test
によって設定され、
前記新たな目標関数hS,neuは前記オリジナル関数huとともに前記少なくとも1つのエッチングパラメータの時間的な変化を計算するために使用され、前記新たな目標関数hS,neuは後続の少なくとも1つのエッチングのための前記目標形状体の目標表面形状に到達するために使用されることを特徴とする3次元構造体を形成するための方法。
IPC (2件)：
B81C 1/00 ( 200 6.01)
, G02B 3/00 ( 200 6.01)
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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